Nepřihlášený uživatelKOŠÍK : 0.00 Kč (počet položek : 0)

MENU

  • Titulní strana
  • Košík
  • Novinky
  • Ke stažení

Hledání

    

Sortiment - NORMY

  • Normy ČSN
  • Aktuální nabídka
  • Starší nabídky
  • Jak nakupovat

Sortiment - OSTATNÍ

  • Publikace ČNI (1)
  • Normy TPG (1)
  • Normy TNV (76)
  • Ekonomika (17)
    - SAGIT (15)
    - ANAG (1)
    - GRADA (1)
    - Ostatní (0)
  • Zdvihací zařízení (22)
  • Literatura manažer (10)
    - Jakost (3)
    - Obchod (5)
    - Různé (2)
  • Publikace ekologie (0)
  • Doplňkový prodej (1)
    - Publikace DTO CZ (0)
    - Různé (1)

OBJEDNÁVKY

  • Stav objednávky

PŘIHLÁŠENÍ

Jméno:
  Heslo:

  • Registrace
  • Zapomenuté heslo

DŮLEŽITÉ INFORMACE

  • Aktuální ceník norem
  • Obchodní podmínky
  • Ochrana osobních dat
  • FAQ nejčastější dotazy
  • Kde nás najdete

Ostatní

Tyto stránky jsou kompatibilní s
IE 6 a výše, Opera 9.02.

 

Detail zboží

364655 - ČSN EN 62979 - Fotovoltaický modul - Překlenovací dioda - Zkouška tepelného lavinového jevu

Název : 364655 - ČSN EN 62979 - Fotovoltaický modul - Překlenovací dioda - Zkouška tepelného lavinového jevu
Označení normy : ČSN EN 62979
Katalogové číslo : 504095
Třídící znak : 364655
Účinnost : 2018-06-01
Věstník : 2018.05
Strany : 24
Převzata :vyhlášením ve Věstníku - v angličtině
Cena :335.00 Kč (DPH= 0%), s DPH= 335.00 Kč
ks
ANOTACE

"ČSN EN 62979 (36 4655)

This document provides a method for evaluating whether a bypass diode as mounted in the module is susceptible to thermal runaway or if there is sufficient cooling for it to survive the transition from forward bias operation to reverse bias operation without overheating. This test methodology is particularly suited for testing of Schottky barrier diodes, which have the characteristic of increasing leakage current as a function of reverse bias voltage at high temperature, making them more susceptible to thermal runaway. The test specimens which employ P/N diodes as bypass diodes are exempted from the thermal runaway test required herein, because the capability of P/N diodes to withstand the reverse bias is sufficiently high."

Zpět

Copyright DTO CZ s.r.o.